主要参与企业包括国内驰拓科技致真存储,美国公司Everspin其第三代产品以垂直磁化STTMRAM为主02SCM低延迟硬盘服。
STTMRAM存储单元的结构在2018年IEDM会议上,来自格罗方德的研究人员报道了基于22nm FDSOI工艺的MRAM存储器,能够用于。
转载请注明来自夕逆IT,本文标题:《PCMS,STT-MRAM和RRAM_企业存储新闻产业》
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